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很多時(shí)候購(gòu)買者都會(huì)忽視在電腦中起到不可忽視作用的CPU以及硬盤，購(gòu)買內(nèi)存的時(shí)候，人們更加關(guān)注的也是它的價(jià)格以及所擁有的容量，而并非性能上的命門——”頻率”以及”時(shí)序”。

很多人表示好奇，究竟何為頻率

所謂內(nèi)存的頻率，指的是在內(nèi)存工作的過程中、以兆赫為單位所達(dá)到的一個(gè)頻率，內(nèi)存標(biāo)稱頻率，或者稱為主頻主要告訴我們這條內(nèi)存在什么樣的頻率下能夠繼續(xù)正常穩(wěn)定的工作。

就以XPG龍耀D60G DDR4-3600舉例，其主頻為3600兆赫，這就表示其穩(wěn)定在3600兆赫以下的頻率，不過這并不代表著他不能在更高頻率下進(jìn)行運(yùn)轉(zhuǎn)，只不過這樣的行為具有一定的風(fēng)險(xiǎn)，也就是我們常說的超頻。

內(nèi)存達(dá)到頻率從極大程度上影響著CPU的性能發(fā)揮，內(nèi)存的頻率越高、其運(yùn)轉(zhuǎn)的速度也就越快。當(dāng)你的顯卡和CPU性能都極強(qiáng)、而內(nèi)存的頻率卻更不上時(shí)，電腦的性能將會(huì)受到限制。

不過，雖說內(nèi)存頻率越高越好，但還是要看整體電腦的配置是否相符，如果你的電腦主板+CPU最高只支持2666兆赫的內(nèi)存，那么你花高價(jià)購(gòu)買3600兆赫的內(nèi)存也沒用。

說完了頻率現(xiàn)在再說說時(shí)序。

內(nèi)存的時(shí)序所反映的是內(nèi)存在不同工作環(huán)節(jié)當(dāng)中的延遲時(shí)間，內(nèi)存時(shí)序的數(shù)值越低、表示其運(yùn)行時(shí)延遲越短。

同樣以XPG龍耀D60G DDR4-3600舉例，它的時(shí)序組成(16-18-18-36)，從左至右分別代表著四個(gè)數(shù)值。

CL(CAS Latency)：列地址訪問延遲

tRCD(RAS to CAS Delay)：行地址到列地址的延遲

tRP(RAS Precharge Time)：行地址預(yù)充電時(shí)間

tRAS(RAS Active Time)：行地址有效時(shí)間

其中CAS(Columns Address Strobe)：列地址選通脈沖以及RAS(Row Address Strobe)：行地址選通脈沖是關(guān)鍵所在。

我們?cè)囅雽?nèi)存看作是一個(gè)格盤，每一個(gè)格內(nèi)都藏有不同的數(shù)據(jù)，CPU需要什么數(shù)據(jù)就會(huì)向內(nèi)存發(fā)出指令(即CAS和RAS)，而內(nèi)存再憑借這一指令將其所需要的數(shù)據(jù)找出，提供給CPU。

而從CAS解道指令并找出的這段時(shí)間，便是”CL”，在進(jìn)行尋找的過程中，需要現(xiàn)確定Row以及Columns，而內(nèi)存對(duì)這兩者進(jìn)行訪問時(shí)所等待的事件便是”tRCD”。

當(dāng)內(nèi)存完成這一些列指令之后，才能進(jìn)行下一批數(shù)據(jù)的執(zhí)行，這兩種數(shù)據(jù)在執(zhí)行過程中所需要的事件便是”tRP”。”tRAS”則為自RAS數(shù)據(jù)發(fā)出指令開始到數(shù)據(jù)執(zhí)行完成所耗費(fèi)的周期。