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筆記本內(nèi)存條顆粒怎么看(教你查看內(nèi)存顆粒型號)

上篇分享只是簡單提了下內(nèi)存顆粒,其實這其中還是包含很多東西的,什么原片、白片、黑片,什么三星B-Die、特挑B-Die,什么CL16、CL17、CL18等問題,還涉及到簡單超頻的問題,這篇文章給大家一一解讀。

黑片、白片、原片

內(nèi)存顆粒分為原片、黑片、白片三種,內(nèi)存顆粒生產(chǎn)過程中會進行兩次檢測,第一次是行業(yè)規(guī)定的檢測,要求相對來說低;第二次是生產(chǎn)廠商進行的檢測,這次檢測很嚴格;首先進行的是行業(yè)標準檢測,檢測合格后進行第二次檢測,第二次檢測合格會打上顆粒型號和生產(chǎn)廠商的logo進行售賣,這就是原片。第一次檢測合格,第二次檢測不合格的是白片,不會出現(xiàn)廠商logo,僅會打上顆粒的型號。還有一種就是第一次檢測就不合格的就是黑片,一般都是作報廢處理。

不同廠商顆粒Die

顆粒作為內(nèi)存上最重要的原件,選內(nèi)存就是要選好的顆粒。下面對不同廠商的顆粒根據(jù)Die分別介紹如下圖:

內(nèi)存條選擇、內(nèi)存顆粒的優(yōu)劣,適合自己才是最好的

 

三星(Samsung)、鎂光(Micron)

內(nèi)存條選擇、內(nèi)存顆粒的優(yōu)劣,適合自己才是最好的

 

海力士(Hynix)

內(nèi)存廠商在生產(chǎn)過程中會頻繁地更換內(nèi)存,同系列產(chǎn)品會出現(xiàn)不同的內(nèi)存顆粒,想知道自己內(nèi)存顆粒的,給大家推薦個軟件ThaiphoonBurner(臺風)去檢測下就行了(附圖)

內(nèi)存條選擇、內(nèi)存顆粒的優(yōu)劣,適合自己才是最好的

 

內(nèi)存顆粒識別

內(nèi)存廠商把體質(zhì)好的顆粒做成高頻內(nèi)存,例如3000MHz、3200MHz、3600MHz或者更高,把相對差一點的顆粒做成2400MHz、2666MHz內(nèi)存,內(nèi)存條上標注的頻率是這根內(nèi)存能工作穩(wěn)定承受的頻率,所以有的購買高頻內(nèi)存的朋友要去主板里邊手動調(diào)整頻率。

顆粒排名

內(nèi)存條選擇、內(nèi)存顆粒的優(yōu)劣,適合自己才是最好的

 

內(nèi)存顆粒排名

講顆粒可能有人不太懂,還是結(jié)合內(nèi)存型號更直接一點:

三星特挑B-Die:威剛 龍耀D60G DDR4 3600MHz C14,影馳名人堂 HOF OC DDR4 4600MHz,芝奇焰光戟DDR4 3600MHz C14,影馳HOF EXTREME DDR4 4266MHz,芝奇F4-3200C14D,七彩虹iGame VulcanDDR4 4266MHz,芝奇 RGB 皇家戟 DDR4 4800 C18,幻光戟 3200 C14D,芝奇Trident Z Royal皇家戟DDR4 5000MHz

三星普通B-Die:宇瞻暗黑女神DDR4 3600MHz(部分),影馳名人堂DDR4 3600MHz,影馳名人堂DDR4 4000MHz,威剛 龍耀D60G 4133MHz,七彩虹iGame VulcanDDR4 3600MHz

鎂光E-Die C9BJZ:英睿達普條/馬甲條--穩(wěn)定耐用超頻能力有限

海力士CJR:金士頓掠食者DDR4-3600MHz,金士頓雷電系列--兼容性強

海力士AFR:皇家戟DDR43000MHzC16,幻光戟DDR43000MHzC16--超頻能力提升,體質(zhì)一般(相較于三星)

海力士MFR:威剛紅龍/金龍(部分),金士頓掠食者(部分),海盜船鉑金統(tǒng)治者3200MHz/3600MHz(部分)--穩(wěn)定無超頻能力

S降級顆粒:威剛?cè)f紫千紅、海盜船復仇者

這里補充一個顆粒:臺灣的南亞顆粒,多出現(xiàn)在威剛和金士頓內(nèi)存上,目前有網(wǎng)友測試的其中的A-Die超頻能力不俗,超頻能力低于海力士的CJR,具體還要看到手的內(nèi)存顆粒體質(zhì)。

老司機會在其中看見出現(xiàn)C14代表的是CL14,這就是接下來要介紹的內(nèi)存時序,大家常見到的是四個數(shù)用“-”連接,內(nèi)存的時序其實就是內(nèi)存的反應時間,當內(nèi)存收到CPU發(fā)來的指令后,多長時間做出反應,這就是內(nèi)存的時序。要想反應得越快,時序就要越短。

我們以“CL16-18-18-38”這個時序為例,時序中的四個數(shù)字分別對應著“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

CL(CAS Latency):列地址訪問的延遲時間,是時序中最重要的參數(shù)

tRCD(RAS to CAS Delay):內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間

tRP(RAS Precharge Time):內(nèi)存行地址選通脈沖預充電時間

tRAS(RAS Active Time):行地址激活的時間

大家只需要知道結(jié)論:同頻率下時序越短內(nèi)存性能越好。

關(guān)于超頻本人涉獵不多,不敢妄言!

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